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產(chǎn)品簡介:

KJ-T1200-S6030-PE（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)）由外徑60mm的滑道式管式爐

，3路質(zhì)量流量計(jì)混氣系統(tǒng)

，300W射頻電源系統(tǒng)和真空系統(tǒng)組成。

此款設(shè)備配有Plasma實(shí)現(xiàn)等離子增強(qiáng)

，滑軌式設(shè)計(jì)在操作時可將實(shí)驗(yàn)需要的恒定高溫直接推到樣品處

，使樣品能得到一個快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處

，使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下

，得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調(diào)裝置

，可準(zhǔn)確的控制反應(yīng)腔體內(nèi)部的氣體壓力

，帶刻度的調(diào)節(jié)閥對于做低壓CVD非常簡單實(shí)用，工藝重復(fù)性好

，對于石墨烯生長工藝非常合適

，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實(shí)驗(yàn)。

主要用途：

高校

、科研院所用于真空鍍膜

、納米薄膜材料制備，生長薄膜石墨烯

、金屬薄膜

、陶瓷薄膜

、復(fù)合薄膜等，也可作為擴(kuò)展等離子清洗刻蝕使用

。

技術(shù)參數(shù):

產(chǎn)品名稱		等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)PECVD
型號		KJ-T1200-S6030-PE
	爐體結(jié)構(gòu)	滑軌式
	最高工作溫度	1200℃
	持續(xù)工作溫度	≤1100℃
	加熱速率	最高20℃/min （建議10℃/min）
	加熱區(qū)長度	300mm 單溫區(qū)
	加熱元件	含鉬電阻絲
	熱電偶	K 型
	控溫精度	±1℃
	爐管尺寸	爐管直徑Φ50 ，Φ60，Φ80都可用
		材質(zhì): 高純石英
	溫度控制器	PID智能程序控溫
	真空法蘭	真空法蘭采用304不銹鋼制作 · 左端法蘭上安裝由不銹鋼針閥和一個球閥。 · 右端法蘭設(shè)計(jì)為KF25接口，配有擋板閥和兩個KF25卡箍注：法蘭可選結(jié)構(gòu)，標(biāo)準(zhǔn)螺絲法蘭，快接KF法蘭，鉸鏈法蘭
	輸入電源	單相 220V, 50 Hz 功率：3KW
真空泵系統(tǒng)	旋片真空泵帶數(shù)字真空計(jì) （包含KF25接口和可移動箱體）	極限真空度 10-3 Torr. 爐管內(nèi)真空度 10-2 Torr.抽速: 4CFM (2L/S, 120L/min)
等離子體射頻電源（圖片僅供參考）	功率范圍	0-300W（連續(xù)可調(diào)）
	工作頻率	13.56MHZ+0.005%
	工作模式	連續(xù)輸出
	供電電源/頻率	單相交流 (187V-253V)50-60HZ
	射頻輸出接口	UHF male
	功率穩(wěn)定度	≤2W
	最大反射功率	＜2W
	諧波分量	≤-50 (dBc)
	電源保護(hù)設(shè)置	DC過流保護(hù)，功放過溫保護(hù) ，反射功率保護(hù)
	冷卻方式	強(qiáng)制風(fēng)冷
	等離子電源功率可選	200w/300w/500w/1000w
質(zhì)量流量計(jì)	3路高精度質(zhì)量流量計(jì): 量程： MFC 1: 0-100 sccm MFC 2: 0-500 sccm MFC 3: 0-1000 sccm 底部安裝有一個混氣罐，左側(cè)安裝有3個不銹鋼針閥，可手動控制3種氣體的流量。 (圖片僅供參考)
注意事項(xiàng)	爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa · 由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高，所以向爐管內(nèi)通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在本公司選購減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加準(zhǔn)確安全 · 當(dāng)爐體溫度高于1000℃時，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài) ，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng) ，保持在常壓狀態(tài) · 進(jìn)入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊 · 石英管的長時間使用溫度＜1100℃ 對于樣品加熱的實(shí)驗(yàn) ，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關(guān)注壓力表的示數(shù) ，若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生（如爐管破裂，法蘭飛出等）
質(zhì)保	一年質(zhì)保期相關(guān)耗材除外，如加熱元件，密封圈等易耗件