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設(shè)備基本原理：
PECVD系統(tǒng)是為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進行

，利用了等離子體的活性來促進反應(yīng)，環(huán)境溫度在100-300℃

，但反應(yīng)氣體在輝光放電等離子體中能受激分解

、離解和離化，從而大大提高了反應(yīng)物的活性

，這些具有反應(yīng)活性的中性物質(zhì)很容易被吸附到較次溫度的基本表面上

，發(fā)生非平衡的化學(xué)反應(yīng)沉積生成薄膜，因此這種CVD稱為等離子體增強化學(xué)氣相沉積法
設(shè)備基本結(jié)構(gòu)：
KJ-T1200-S10LC2-HY滑動式雙溫區(qū)PECVD系統(tǒng)

，由KJ-T1200雙溫區(qū)滑軌管式爐

、高真空系統(tǒng)、質(zhì)子流量計氣路系統(tǒng)、等離子電源系統(tǒng)組成

?div id="jpandex" class="focus-wrap mb20 cf">？蛇m用于石墨烯生長等。
產(chǎn)品優(yōu)點：
1

、與傳統(tǒng)的CVD相比

，只需較低的制備溫度
2、滑軌式可快速加熱和快速冷卻
3

、兩個加熱區(qū)

，溫度梯度最大可達 200ºC ，最高工作溫度1100°C
4

、提供一個寬范圍的材料制備

，如碳和 ZnO 納米管或納米線以及單層石墨烯。
技術(shù)參數(shù)：

產(chǎn)品名稱	滑動式雙溫區(qū)PECVD系統(tǒng)(CE認(rèn)證)
滑軌管式爐部分
產(chǎn)品型號	KJ-T1200-S10LC2-HY
爐管尺寸	Φ100mmX1600mm
爐管材質(zhì)	石英管
加熱區(qū)	雙溫區(qū) ，每個溫區(qū)長度200mm
工作溫度	1100℃
最高溫度	1200℃
溫控方式	K型熱電偶
控制方式	觸屏控制
控溫精度	±1℃
溫控保護	具有超溫和斷偶保護功能
升溫速率	0-20ºC/min ，建議10ºC/min
加熱元件	含鉬電阻絲
工作電壓	AC 220V 單相 50HZ （電路電壓用戶可選擇定制）
加熱功率	3KW
爐膛材料	氧化鋁多晶纖維
爐體結(jié)構(gòu)	爐體帶滑軌，可實現(xiàn)快速升溫和降溫
法蘭接頭	標(biāo)配配有兩個不銹鋼真空法蘭，已安裝機械壓力表和不銹鋼截止閥
密封系統(tǒng)	該爐爐管與法蘭之間采用硅膠O型圈擠壓密封、撤卸方便、可重復(fù)撤卸，氣密性好。
真空系統(tǒng)部分
名稱	真空系統(tǒng)
主要參數(shù)	1.采用高真空分子泵組，爐管內(nèi)真空度可達10-3pa 2.KF25快接，不銹鋼波紋管，手動擋板閥與法蘭，真空泵相連； 3.防腐型進口英富康數(shù)字式真空顯示計，其測量范圍為5×10^-5- 1500mbar，測量精度可達0.1 ，測量不同氣體種類不需要系數(shù)轉(zhuǎn)換。
氣路系統(tǒng)部分
名稱	四路質(zhì)量流量計
主要參數(shù)	四通道精密質(zhì)量流量計：觸屏控制，數(shù)字顯示，自動控制。可實現(xiàn)進氣智能控制，設(shè)置分段進氣，用戶可根據(jù)自己的使用需求組合設(shè)置進氣工藝。流量范圍流量范圍： 1.MFC 1-MFC4：0-1000sccm可調(diào) 2.一個混氣罐 3.4個不銹鋼針閥安裝在供氣系統(tǒng)的左側(cè) ，可手動控制4種氣體； 4.進出氣口：3進1出流量控制：手動旋轉(zhuǎn)式調(diào)節(jié) 連接方式：雙卡套連接
等離子電源部分
名稱	500W等離子電源
功率范圍	0-500W（連續(xù)可調(diào)）
工作頻率	13.56MHZ+0.005%
工作模式	連續(xù)輸出
射頻輸出阻抗接口	N-type,female（50Ω）
功率穩(wěn)定度	≤2W
最大反射功率	70W
電源保護設(shè)置	DC過流保護，功放過溫保護，反射功率保護
供電電壓/頻率	單相交流（187V-253V）50-60HZ
冷卻方式	風(fēng)冷
整機尺寸	88X483X550 MM
整機重量	13.5KG
認(rèn)證	ISO認(rèn)證、CE認(rèn)證
售后服務(wù)	質(zhì)保一年，終身保修（耗材類：高溫密封圈、爐管、加熱元件等不屬于質(zhì)保范圍）