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產(chǎn)品簡介:
KJ-T1200-S6030-PE（等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)）由外徑60mm的滑道式管式爐

，3路質(zhì)量流量計系統(tǒng)，300W射頻電源系統(tǒng)和真空系統(tǒng)組成

。
此款設備配有Plasma實現(xiàn)等離子增強

，滑軌式設計在操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個快速的升溫速度

，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處

，使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下，得到快速的降溫速率

。并可選配氣氛微調(diào)裝置

，可準確的控制反應腔體內(nèi)部的氣體壓力

，帶刻度的調(diào)節(jié)閥對于做低壓CVD非常簡單實用，工藝重復性好

，對于石墨烯生長工藝非常合適

，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。

主要用途：
高校

、科研院所用于真空鍍膜

、納米薄膜材料制備

，生長薄膜石墨烯

、金屬薄膜、陶瓷薄膜

、符合薄膜等

，也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。

技術參數(shù):

型號		KJ-T1200-S6030-PE
	爐體結構	滑軌式
	最高工作溫度	1200℃
	持續(xù)工作溫度	≤1100℃
	加熱速率	最高20℃/min （建議10℃/min）
	加熱區(qū)長度	300mm 單溫區(qū)
	加熱元件	含鉬電阻絲
	熱電偶	K 型
	控溫精度	±1℃
	爐管尺寸	爐管直徑Φ50 ，Φ60 ，Φ80都可用
	爐管尺寸	材質(zhì): 高純石英
	溫度控制器	PID智能程序控溫
	真空法蘭	真空法蘭采用304不銹鋼制作 · 左端法蘭上安裝由不銹鋼針閥和一個球閥。 · 右端法蘭設計為KF25接口，配有擋板閥和兩個KF25卡箍注：法蘭可選結構，標準螺絲法蘭，快接KF法蘭，鉸鏈法蘭
	輸入電源	單相 220V, 50 Hz 功率：3KW
真空泵系統(tǒng)	旋片真空泵帶數(shù)字真空計（包含KF25接口和可移動箱體）	極限真空度 10-3 Torr. 爐管內(nèi)真空度 10-2 Torr.抽速: 4CFM (2L/S, 120L/min)
等離子體射頻電源（圖片僅供參考）	功率范圍	0-300W（連續(xù)可調(diào)）
	工作頻率	13.56MHZ+0.005%
	工作模式	連續(xù)輸出
	供電電源/頻率	單相交流 (187V-253V)50-60HZ
	射頻輸出接口	UHF male
	功率穩(wěn)定度	≤2W
	最大反射功率	＜2W
	諧波分量	≤-50 (dBc)
	電源保護設置	DC過流保護，功放過溫保護，反射功率保護
	冷卻方式	強制風冷
	等離子電源功率可選	200w/300w/500w/1000w
質(zhì)量流量計	3路高精度質(zhì)量流量計: 量程： MFC 1: 0~100 sccm MFC 2: 0~500 sccm MFC 3: 0~1000 sccm 底部安裝有一個混氣罐，左側安裝有3個不銹鋼針閥，可手動控制3種氣體的流量。 (圖片僅供參考)
注意事項	爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa · 由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高，所以向爐管內(nèi)通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在本公司選購減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加準確安全 · 當爐體溫度高于1000℃時，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當，保持在常壓狀態(tài) · 進入爐管的氣體流量需小于200SCCM ，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊 · 石英管的長時間使用溫度＜1100℃ 對于樣品加熱的實驗，不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa ，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生（如爐管破裂，法蘭飛出等）
質(zhì)保	一年質(zhì)保期相關耗材除外，如加熱元件，密封圈等易耗件